光刻膠去除劑

?EUV Surfactant Rinse (SR) – 適用于極紫外光刻膠的防圖案坍塌技術

?EUV Mask Cleans (MC) – 無關鍵尺寸（CD）損失的掩膜清洗技術

?Si Etchant –高選擇性硅蝕刻試劑系列（針對 二氧化硅/氮化硅的硅蝕刻）

?Eco-friendly cleans solutions – 無 NMP、無鄰苯二酚，SPM 及 TMAH 的替代工藝

相關產品

光刻膠去除劑與剝離劑

?EKC830 –正性光刻膠去除

?EKC865 –在不損傷敏感金屬的前提下去除正性光刻膠（在使用 Remover 1165的時候）

?EKC922 –在不損傷固化或半固化聚酰亞胺的前提下，同時去除正性和負性光刻膠

LED、TSV、WLP 清洗試劑

?EKC162–用于去除作為 TSV（硅通孔）掩膜的光刻膠；兼容通過焊料電鍍或模板印刷實現的晶圓凸塊工藝，適用于銅（Cu）和砷化鎵（GaAs）材料

?EKC175–為去除基于等離子體工藝的類似 TSV（硅通孔）的光刻膠殘留物，需具備可水洗且與鋁兼容的特性

?EKC830–為去除干法刻蝕 TSV（硅通孔）工藝中形成的頑固刻蝕后殘留物，以實現無缺陷的通孔填充工藝

?EKC922 –用于去除負性光刻膠，兼容砷化鎵（GaAs）及種類極其廣泛的金屬材料

用于鋁（Al）和銅（Cu）互連結構的蝕刻后殘留物去除劑（PERR）

?EKC265–用于去除蝕刻工藝后產生的光刻膠殘留物，無論是否經過氧灰化處理均有效

?EKC270(T)–用于去除灰化后的光刻膠殘留物、有機聚合物及有機金屬蝕刻殘留物，同時提升了與鈦（Ti）的兼容性。

?EKC2100–用于清潔蝕刻后殘留物，適用于單晶圓設備，與低溫氧化物（LTO）和氧化銦錫（ITO）具有良好的兼容性

?EKC6800–用于清潔蝕刻后殘留物的系列產品，與鋁（Al）和銅（Cu）互連結構兼容，具備低工藝溫度特性

?EKC580/EKC590–用于去除銅（Cu）互連結構蝕刻后殘留物的半水性化學制劑，與超低介電常數（ULK）電介質薄膜兼容

PCMP清洗劑適用于前端工藝（FEOL）中的氧化鈰、多晶硅、二氧化硅材料，中端工藝（MEOL）中的鎢材料，以及后端工藝（BEOL）中的銅材料制程

?PCMP2110系列–氧化鈰漿料化學機械拋光（CMP）清洗產品，專為前端工藝（FEOL）、中間段工藝（MEOL）及存儲陣列層中使用氧化鈰 CMP 漿料后晶圓的清洗而設計

?PCMP3210系列–化學機械拋光（CMP）后鎢互連清洗產品，兼容鎢（W）和鈷（Co）材料，在 TEOS（四乙氧基硅烷）或氮化硅（SiN）表面具有極低的缺陷率

?EKC2100–用于清潔蝕刻后殘留物，適用于單晶圓設備，與低溫氧化物（LTO）和氧化銦錫（ITO）具有良好的兼容性

?PCMP5600系列–化學機械拋光后銅互連結構清洗液（PCMP5610/5620/5615/5650）