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北京亞科晨旭科技有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第7年

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當(dāng)前位置:北京亞科晨旭科技有限公司>>化合物半導(dǎo)體-工藝設(shè)備>> IH-860DSICSiC用高溫離子注入設(shè)備 IH-860DSIC

SiC用高溫離子注入設(shè)備 IH-860DSIC

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)IH-860DSIC

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地北京市

更新時(shí)間:2024-09-25 13:40:00瀏覽次數(shù):1790次

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產(chǎn)地類別 進(jìn)口 價(jià)格區(qū)間 150萬-200萬
應(yīng)用領(lǐng)域 電子/電池
搭載了高溫ESC(靜電吸附卡盤)的面向SiC量產(chǎn)用的高能粒子注入裝置。

離子注入設(shè)備

SiC用高溫離子注入設(shè)備 IH-860DSIC

 搭載了高溫ESC(靜電吸附卡盤)的面向SiC量產(chǎn)用的高能粒子注入裝置。

產(chǎn)品特性 / Product characteristics

可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)連續(xù)高溫處理注入

1價(jià)離子可注入至350keV、2價(jià)離子可注入至700keV

       (Option:1價(jià)離子可注入至430keV、2價(jià)離子可注入至860keV)

通過Dual-End-Station(雙工位)實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)能;

       (A系4"高溫ESC/B系3"高溫ESC、A系6"高溫ESC/B系6"常溫ESC等等,可配合客戶的希望就行規(guī)格配置)

可減輕操作員的負(fù)擔(dān)

•      緊湊式設(shè)計(jì)

可大范圍對(duì)應(yīng)從試作到量產(chǎn)的各類需求

 

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

 對(duì)應(yīng)SiC的離子注入裝置。

 

研究開發(fā)用中電流離子注入設(shè)備IMX-3500

中電流離子注入裝置IMX-3500為大能量200keV、對(duì)應(yīng)大晶圓尺寸8inch的離子注入裝置,適用于大學(xué)等機(jī)構(gòu)的研究開發(fā)。

 

產(chǎn)品特性 / Product characteristics

•       大晶圓尺寸8inch,搭載了可對(duì)應(yīng)不定形基板的臺(tái)板。

離子源,除Gas source之外,另外可以使用安全方面更容易處理的B、P、As離子等固體蒸發(fā)源。

HV terminal的部分,與量產(chǎn)裝置是同樣的構(gòu)成,可確保高信賴性。

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

 •      教育、研究開發(fā)等

 

高能對(duì)應(yīng)離子注入設(shè)備SOPHI-400

大可對(duì)應(yīng)至2400KeV的高能離子注入裝置。

 

產(chǎn)品特性 / Product characteristics

枚葉式

可對(duì)應(yīng)薄片Wafer

平行Beam

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

 •       功率器件相關(guān)薄片基板工藝、IGBT工藝

可對(duì)應(yīng)低速高濃度的離子注入設(shè)備SOPHI-30

低加速、高濃度對(duì)應(yīng)的離子注入設(shè)備。

 

產(chǎn)品特性 / Product characteristics

枚葉式

可對(duì)應(yīng)薄片

非質(zhì)量分離機(jī)的對(duì)比優(yōu)點(diǎn)

         1)對(duì)應(yīng)低加速.高濃度的好產(chǎn)能離子注入設(shè)備

         2)相比過去約一半的低價(jià)

         3)相比過往設(shè)備占用面積為1/3的緊湊型設(shè)計(jì)

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

Power Device等薄片基板工藝、IGBT工藝

產(chǎn)品參數(shù) / Product parameters

 • 基板尺寸:Max200mm

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