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美國EOT的銦鎵砷光電探測器
  • 美國EOT的銦鎵砷光電探測器
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貨物所在地:廣東深圳市

更新時間:2025-08-06 21:00:08

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美國EOT的銦鎵砷光電探測器也叫做EOT銦鎵砷探測器、EOT近紅外光電探測器、短波紅外銦鎵砷光電探測器、短波近紅外銦鎵砷光電探測器、銦鎵砷PIN光電二極管探測器、EOT光電探測器、銦鎵砷光電二極管探測器等等。帶寬>10GHz,占地面積小、內(nèi)部電壓偏置、直流至22GHz,可選外墻插入式電源、可選光纖耦合或自由空間選項(xiàng)。組件包含PIN光電二極管,利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。

美國EOT的銦鎵砷光電探測器

EOT銦鎵砷光電探測器體積小、帶寬>10GHz

內(nèi)部電壓偏置、直流至22GHz、可選外墻插入式電源、光纖耦合或自由空間選項(xiàng)

短波近紅外銦鎵砷光電探測器包含PIN光電二極管,利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。EOT銦鎵砷光電探測器又叫做EOT銦鎵砷探測器EOT近紅外光電探測器短波紅外銦鎵砷光電探測器短波近紅外銦鎵砷光電探測器銦鎵砷PIN光電二極管探測器EOT光電探測器銦鎵砷光電二極管探測器等等。

典型包含可見光、近紅外的EOT銦鎵砷光電探測器的響應(yīng)度如下:

ET-3500、ET-4000適合短波可見光區(qū)域, 3500FET-3600ET-4000F適用于近紅外I區(qū)的應(yīng)用,ET-5000ET-5000F適用于近紅外II區(qū)。型號確定的含義:

2代表Silicon3代表 InGaAs4代表GaAs5代表Extended InGaAsET是廠家EOT的縮寫。


短波近紅外銦鎵砷光電探測器,三元系材料InxGa1-xAs是由GaAsInAs形成的混合固溶體的直接帶隙半導(dǎo)體,其能帶成分因組分的比例不同具有差異,應(yīng)用廣泛。

EOT近紅外光電探測器端接到示波器的50Ω電阻時,可以測量激光的脈沖寬度。當(dāng)銦鎵砷PIN光電二極管探測器端接到頻譜分析儀的50Ω電阻時,可以測量激光的頻率響應(yīng)。

EOT近紅外光電探測器中,>10GHz光電探測器自帶由長壽命鋰電池組成的內(nèi)部偏置電源。將同軸電纜插入光電檢測器的BNC輸出連接器,可以在示波器或頻譜分析儀處端接50Ω就可以了。

短波近紅外銦鎵砷光電探測器的上升/下降時間300ps(典型),影響度0.47A/W@830nm,電源要求直流,帶寬>2GHz,輸出連接器BNC。特點(diǎn)是占地面積小、內(nèi)部電壓偏置、直流至22GHz、可選外墻插入式電源、光纖耦合或自由空間選項(xiàng)。

探測原理是什么呢?

探測器在完成光電轉(zhuǎn)化過程中,不僅給出表征被測對象的電壓、電流信號,同時也伴隨著無用噪聲的電壓、電流信號,這是一種起伏信號,其大小決定了探測器的探測能力。


EOT近紅外光電探測器的主要指標(biāo)如下:

1)光電流是存在入射光照射下光電探測器所產(chǎn)生的光生電流,暗電流則為無光入射的情況下探測器存在的漏電流。其大小影響著光接收機(jī)的靈敏度大小,是探測器的主要指標(biāo)之一。暗電流包括以下幾種:盡區(qū)中邊界的少子擴(kuò)散電流、流子的產(chǎn)生-復(fù)合電流、表面泄漏電流。EOT近紅外光電探測器的暗電流<0.1nA

2)探測器的暗電流與噪聲是分不開的,通常光電探測器的噪聲主要分為暗電流噪聲、散粒噪聲和熱噪聲:暗電流噪聲、散粒噪聲、熱噪聲。EOT近紅外光電探測器的噪聲<0.01pW/Hz

EOT銦鎵砷探測器特點(diǎn):

-占地面積小

-內(nèi)部電壓偏置

-帶寬>10GHz

-直流至22GHz

-可選外墻插入式電源、光纖耦合或自由空間選項(xiàng)


EOT近紅外光電探測器應(yīng)用:

-監(jiān)控調(diào)Q激光器的輸出

-監(jiān)控鎖模激光器的輸出

-監(jiān)測外部調(diào)制連續(xù)激光器的輸出

-高頻、外差應(yīng)用

-時域和頻率響應(yīng)測量



美國EOT的銦鎵砷光電探測器


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