電壓監測儀采用Inter公司的80C196KC(KB)單片十六位微處理器，工作在12MHz主頻下，工作的CPU確保儀表多可以同時監測統計三路電網電壓質量。

RAM：采用NV-SRAM 內置高能鋰電池，斷電數據保護十年；采用鐵電存儲器（FRAM），具有寫入、低功耗、斷電保存數據等特性。
時鐘芯片：DS12C887 內置高能鋰電池，斷電數據保護十年。
采樣電路：采用高性能的美國AD公司單片真有效值轉換電路。
工作電源：AC220V，與路信號電壓并接。
電源功耗：≤3VA。
信號輸入回路功耗:≤0.6VA。
時鐘誤差：≤±1s/24h。
外型尺寸：（l×b×h）160×236×80mm；安裝開孔尺寸：150+1×70+1mm。

采用Inter公司的80C196KC(KB)單片十六位微處理器，工作在12MHz主頻下，工作的CPU確保儀表多可以同時監測統計三路電網電壓質量。

RAM：采用NV-SRAM 內置高能鋰電池，斷電數據保護十年；采用鐵電存儲器（FRAM），具有寫入、低功耗、斷電保存數據等特性。
時鐘芯片：DS12C887 內置高能鋰電池，斷電數據保護十年。
采樣電路：采用高性能的美國AD公司單片真有效值轉換電路。
工作電源：AC220V，與路信號電壓并接。
電源功耗：≤3VA。
信號輸入回路功耗:≤0.6VA。
時鐘誤差：≤±1s/24h。
外型尺寸：（l×b×h）160×236×80mm；安裝開孔尺寸：150+1×70+1mm。

電壓監測儀采用Inter公司的80C196KC(KB)單片十六位微處理器，工作在12MHz主頻下，工作的CPU確保儀表多可以同時監測統計三路電網電壓質量。

RAM：采用NV-SRAM 內置高能鋰電池，斷電數據保護十年；采用鐵電存儲器（FRAM），具有寫入、低功耗、斷電保存數據等特性。
時鐘芯片：DS12C887 內置高能鋰電池，斷電數據保護十年。
采樣電路：采用高性能的美國AD公司單片真有效值轉換電路。
工作電源：AC220V，與路信號電壓并接。
電源功耗：≤3VA。
信號輸入回路功耗:≤0.6VA。
時鐘誤差：≤±1s/24h。
外型尺寸：（l×b×h）160×236×80mm；安裝開孔尺寸：150+1×70+1mm。

采用Inter公司的80C196KC(KB)單片十六位微處理器，工作在12MHz主頻下，工作的CPU確保儀表多可以同時監測統計三路電網電壓質量。

RAM：采用NV-SRAM 內置高能鋰電池，斷電數據保護十年；采用鐵電存儲器（FRAM），具有寫入、低功耗、斷電保存數據等特性。
時鐘芯片：DS12C887 內置高能鋰電池，斷電數據保護十年。
采樣電路：采用高性能的美國AD公司單片真有效值轉換電路。
工作電源：AC220V，與路信號電壓并接。
電源功耗：≤3VA。
信號輸入回路功耗:≤0.6VA。
時鐘誤差：≤±1s/24h。
外型尺寸：（l×b×h）160×236×80mm；安裝開孔尺寸：150+1×70+1mm。