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憶阻器應(yīng)用領(lǐng)域包括哪些？
憶阻器英文名為memristor, 用符號M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時具備電阻和存儲的性能，是一種新一代高速存儲單元，通常稱為阻變存儲器 (RRAM)。
憶阻器備受關(guān)注的重要應(yīng)用領(lǐng)域包括：非易失存儲 (Nonvolatile memory)，邏輯運算 (Logiccomputing)，以及類腦神經(jīng)形態(tài)計算 (Brain-inspired neuromorphic computing)等。這三種截然 不同又相互關(guān)聯(lián)的技術(shù)路線，為發(fā)展信息存儲與處理融合的新型計算體系架構(gòu)，突破傳統(tǒng)馮 • 諾伊曼架構(gòu)瓶頸，提供了可行的路線。
在憶阻器研究不斷取得新成果的同時，基于憶阻器的多功能耦合器件也成為研究人員關(guān)注的熱點。這些新型耦合器件包括： 磁耦合器件、光耦合器件、超導(dǎo)耦合器件、相變憶阻器件、鐵電耦合器件等。