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穿透式電子顯微鏡簡(jiǎn)介:1930年*臺(tái)商用電子顯微鏡于英國(guó)建立
閱讀：1803 發(fā)布時(shí)間：2012-5-21
穿透式電子顯微鏡（Transmission Electron Microscopy：TEM）
A.TEM簡(jiǎn)介
自1930年代*臺(tái)商用電子顯微鏡于英國(guó)建立以來(lái)，由于影像解析度受限于所供輸電子能量，隨著高壓設(shè)備之成熟技術(shù)發(fā)展與建立，穿透式電子顯微鏡不斷地進(jìn)步與突破。1938年，穿透式電子顯微鏡，解析度約20~30埃，到1963年，解析度提升至2~3埃；到目前為止，一百萬(wàn)電子伏特（eV）以上之超高電壓穿透式電子顯微鏡也已問(wèn)世（HRTEM）。
因此原子級(jí)的影像解析度早已不再是遙不可及之夢(mèng)想。 對(duì)于近十年來(lái)迅速發(fā)展的半導(dǎo)體制程，以及奈米尺度的*材料，材料的研究已進(jìn)入原子尺度大小，為了觀察如此微小的尺度，新的研究工具也陸續(xù)出現(xiàn)。在這些新的研究工具當(dāng)中，穿透式電子顯微鏡（Transmission Electron Microscopy；TEM ）可提供材料內(nèi)部的形態(tài)、晶體原子結(jié)構(gòu)…由于TEM具備高解像能力，比一般影像觀察及分析工具*許多，而廣泛地用于材料分析。表一為比較常用顯微鏡的解析度與放大倍率。
附注：解析度與波長(zhǎng)的關(guān)系式
Raleigh‘s Criterion：解析度 S＝0.61l/（n×sinq）＝0.61l/NA
出自金相顯微鏡百科：http://www.xianweijing.org