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瑞禧售InBiSe3晶體摻銦Bi2Se3/InGaS3晶體
西安瑞禧生物可以提供MnPS3 晶體、MnPSe3 晶體、MnSb2Te4 晶體、Mo0.75W0.25Se2晶體、Mo0.95W0.05Se2晶體、MoS2 二硫化鉬、MoSe2 二硒化鉬、MoSSe 鉬硫硒、MoTe2 二碲化鉬；MoTe2 晶體2H 半導體相、MoVSe4晶體、MoWS4 鉬鎢硫、MoWSe4 (WMoSe4) 鉬鎢硒、Nb2SiTe4晶體、Nb3GeTe6晶體、NbReS4晶體、NbS2(2H) 硫化鈮、NbSe2 二硒化鈮、NbTe2 二碲化鈮 (1g)、In2P3S9晶體、In2P3Se9 晶體、NiCoSe2晶體、NiI2 碘化鎳晶體、NiI3晶體，碘化鎳晶體、NiPS3 晶體、NiTe2晶體、NiTe晶體、Pb2Bi2Se5晶體、PbBi4Te7晶體、PbBi6Te10晶體、PbI2晶體、PbSb2Te4晶體。
瑞禧售InBiSe3晶體摻銦Bi2Se3/InGaS3晶體
晶體：Magnetic semiconductor，紅外半導體，拓撲材料，熱電材料
表征方法：EDS，SEM，Raman 性質分類:相變材料，金屬性層狀材料
禁帶寬度:0 eV
方法:CVT
剝離難易程度:易
保存注意事項:晶體穩定，不需要保存
[單晶純度]:> 99.99%
[規格]：注：可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。
[包裝]：凈袋真空包裝
[傳導類型]：N型；半絕緣型
[拋向]：單拋或雙拋
[可用表面積] gt; 90%
立方二硒化鐵
FeSe2二維晶體
FeSe2二維薄膜
FeSe2納米線
AgInP2S6晶體
AgInP2Se6晶體
Bi2O2Se 硒氧鉍晶體
Bi2Se3 硒化鉍
Bi4Pb7Se13晶體
BiI3碘化鉍晶體
BiOCl晶體 氯氧化鉍晶體
BiSe 晶體
BiTe晶體
Bi單晶 Bi晶體 鉍
CdI2晶體
CdPS3 晶體
Co2Bi2Te5 磁性拓撲絕緣體
CoBi2Te4 磁性拓撲絕緣體
CoBi4Se7 磁性拓撲絕緣體
CoBi4Te7 磁性拓撲絕緣體
Cr2Ge2Te6 CrGeTe3 磁性拓撲絕緣體
Cr2S3晶體
Cr2Si2Te6 CrSiTe3 晶體
CrBi2Te4磁性拓撲絕緣體
CrBi4Te7 磁性拓撲絕緣體
CrI3 碘化鉻
CrTe2晶體
CuCrP2S6 晶體
CuIn7Se11 晶體
CuInP2S6晶體
CuInP2Se6晶體
CuInS2晶體
CuS 晶體
Fe3GeTe2晶體
FeCl2晶體
FeCl3三氯化鐵晶體
FePS3 晶體
FePSe3 晶體
GaGeTe晶體
GaPS4晶體
GaSe 硒化鎵
GaTe晶體
GeBi4Te7晶體
GePbS3 晶體
GeS 硫化鍺晶體
GeTe晶體
HfS2 硫化鉿
HfS3晶體
HfSe2 硒化鉿
HfTe2 碲化鉿晶體
In2P3S9晶體
In2P3Se9 晶體
In2Te5晶體
In3SbTe2晶體
InBiSe3 晶體 摻銦 Bi2Se3 晶體
InBi晶體
InGaS3 晶體
InSb晶體
InSe 硒化銦 （β相）
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