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二硒化鎢(WSe2)半導體材料具有六方的晶體結構,層與層之間通過范德華力作用堆積在一起,單層WSe2和雙層 WSe2的 VBM位置都位于布里源區的K點,而CBM位置卻有所不同,單層 WSe2的 CBM位于K點,但雙層WSe2的CBM位于K和Ⅰ中間的點。單層 WSe2的熒光發光峰位置大概在1.65eV。
二硒化鎢,由二維Se-W-Se 的層狀結構構成,層內通過共價鍵結合﹐而層間通過范德瓦爾斯結合。硒化鎢薄膜的電子和聲子性質具有層數效應:二維納米硒化鎢薄膜厚度減小到單層時﹐能帶結構會從間接帶隙過渡到直接帶隙;聲子譜將隨著層數的減少而發生紅移或藍移現象。由于拉曼散射實驗(拉曼散射實驗:不破壞樣品﹐無損檢測且結合計算機技術可達到實時實地的表征)能夠表征薄膜的層數與電子和聲子間的關系,因此常選擇拉曼散射實驗對二硒化鎢的層數效應進行表征。
中文名稱:氨基修飾二硒化鎢
英文名稱:NH2-WSe2
外觀:固體/液體
規格:mg
儲存條件:-20℃
濃度:95%+
溶解條件:有機溶劑/水
用途:用于科研,不能用于人體
中文名稱:羧基修飾二硒化鎢
英文名稱:COOH-WSe2
外觀:固體/液體
規格:mg
儲存條件:-20℃
濃度:95%+
溶解條件:有機溶劑/水
用途:用于科研,不能用于人體
瑞禧WFF.2022.7
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