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西安瑞禧生物科技有限公司

活性基團修飾二硒化鎢

時間:2022-7-6閱讀:709

二硒化鎢(WSe2)半導體材料具有六方的晶體結構,層與層之間通過范德華力作用堆積在一起,單層WSe2和雙層 WSe2的 VBM位置都位于布里源區的K點,而CBM位置卻有所不同,單層 WSe2的 CBM位于K點,但雙層WSe2的CBM位于K和Ⅰ中間的點。單層 WSe2的熒光發光峰位置大概在1.65eV。


二硒化鎢,由二維Se-W-Se 的層狀結構構成,層內通過共價鍵結合﹐而層間通過范德瓦爾斯結合。硒化鎢薄膜的電子和聲子性質具有層數效應:二維納米硒化鎢薄膜厚度減小到單層時﹐能帶結構會從間接帶隙過渡到直接帶隙;聲子譜將隨著層數的減少而發生紅移或藍移現象。由于拉曼散射實驗(拉曼散射實驗:不破壞樣品﹐無損檢測且結合計算機技術可達到實時實地的表征)能夠表征薄膜的層數與電子和聲子間的關系因此常選擇拉曼散射實驗對二硒化鎢的層數效應進行表征。

7.5-17.png

中文名稱:氨基修飾二硒化鎢

英文名稱:NH2-WSe2

外觀:固體/液體

規格:mg

儲存條件:-20℃

濃度:95%+

溶解條件:有機溶劑/水

用途:用于科研,不能用于人體

 

中文名稱:羧基修飾二硒化鎢

英文名稱:COOH-WSe2

外觀:固體/液體

規格:mg

儲存條件:-20℃

濃度:95%+

溶解條件:有機溶劑/水

用途:用于科研,不能用于人體


二硒化鈷修飾鎢酸鈷

硒化銀修飾二硒化鈷

二氧化鈦負載二硒化鎢

MoSe2-hBN二硒化鉬修飾氫化硼薄膜

SnSe2-hBN二硒化錫修飾氮化硼薄膜

二硒化鎳修飾Ti3C2Tx(MXene)立方體復合材料

 

瑞禧WFF.2022.7


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