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參考價	面議

應用領域	環(huán)保,化工,電子/電池

退火爐是用于制造半導體元件的制程方法。該制程包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理旨在達到不同的效果。可以加熱晶片以激活摻雜劑，使沉積的膜至密化，并改變生長的膜的狀態(tài)。

退火爐是用于制造半導體元件的制程方法。該制程包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理旨在達到不同的效果。可以加熱晶片以激活摻雜劑，使沉積的膜至密化，并改變生長的膜的狀態(tài)。暴露在高溫下可以修復損壞。該過程稱為退火。爐子退火可以集成到其他爐子處理步驟中，例如氧化，也可以單獨處理。

退火爐技術參數(shù)

應用領域	腔體
半導體。 MEMs。納米技術。 LED。太陽能電池產業(yè)。平板顯示器。	通過使用加圈和水冷不銹鋼法蘭來控製石英管的溫度。爐管配置：水平，結合傳送機構。帶有視窗的手動爐門。
配置和優(yōu)點	選件
石英管尺寸：最大12英寸。單載片或多載片（最多50個晶圓）。控制精度：<±1°C。製程氣體：N2、Ar、H2。最高溫度：最高1700°C。抽氣閥件前端會有冷凍捕捉器。易於清潔和維護。	和自動傳送組成在一起。