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射頻磁控濺射鍍膜裝置/磁控濺射鍍膜裝置 型號；DP-HRM-1
可開設的實驗
1、掌握射頻磁控濺射法制膜的基本原理；
2、了解磁控濺射鍍膜儀的操作過程及使用范圍；
3、磁控濺射法制備金屬膜、半導體膜、化合物膜、介質膜等薄膜。
主要參數
1、濺射鍍膜室：由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成；有效尺寸：Φ220×H230mm3；
2、濺射鍍膜室本底真空：≤1Pa；濺射腔限真空：6×10-1Pa；
3、濺射靶：Φ50mm，濺射靶臺和濺射靶可調距離：20～60mm；
4、基片加熱溫度可控范圍：室溫～300℃；
5、射頻源率：500W，13.56MHz；
6、氣路系統：由兩路轉子流量計控制（可選配質量流量計）；
7、真空系統：2XZ-4型旋片真空泵，抽氣速率：4L/S，單相220V交流電源供電；
8、對過流過壓、斷路等異常情況行報警，并執行相應保護措施；
9、供電電源：AC220V，50Hz，整機率2KW。
2.
大率磁力攪拌器 磁力攪拌器 大率攪拌器 型號：DP-99-1
、DP-99-1大率磁力攪拌器用途：
大率磁力攪拌器能在較廣的速度范圍內對液體溶液行穩定的攪拌，特別適合小體積的樣品，是石油、化、藥衛生、環保、生化實驗室、分析室、教育科研的具。
二、大率磁力攪拌器基本參數：
1.電源：220V 50HZ
2.加熱率：600W
3.作臺面積：300＊300（MM）
4.攪拌容量：100-10000（ML）
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