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技術文章

磁光克爾轉角應該怎樣測量

點擊次數:688 發布時間:2023-12-25

在實際測量時,通常采用He-Ne激光作為光源,波長λ=632.8 nin.磁光介質樣品安放在電磁鐵建立的磁場之中,磁場的磁感應強度為4 000 Gs左右.在此條件下,通過偏振分析器可順利地分析出磁光克爾轉角θk的大小,如果測量時光信號十分微弱,采用鎖相放大器可大大提高測量的精度。

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磁光介質材料極其θk的大小

 隨著磁光信息存儲技術的發展,目前已經開發出多種磁光介質材料.在這些材料中比較優的有:非晶態稀土一過渡金屬合金材料(例如Fe-co)、非晶態錳鉍鋁硅(MnBiA1Si)合金材料和非晶態錳鉍稀土(MnBiRE)合金材料等。這些材料通常是采用真空蒸鍍、磁控濺射等方法將合金材料沉積于玻璃基底上,磁光薄膜的厚度一般在幾百納米左右。為了提高材料的磁光性能,采取多層膜技術十分有效.磁光克爾轉角一般并不大,以鋱鐵鈷(1bFeco)合金薄膜材料為例,在室溫下其磁光克爾轉角僅為0.3L右。MnBiA1Si的磁光克爾轉角可達2.04。如果僅考慮磁光克爾轉角的大小,采用簡單工藝制備的MnBi合金薄膜的磁光克爾轉角達到1.6。左右并不困難.當然,在實際制造磁光盤時,除了考慮磁光克爾轉角這一性能外,還需要綜合考慮其他性能.目前市場上做成磁光盤產品的磁光介質以鋱鐵鈷(1bFeco)合金薄膜材料為主。

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物質

科爾轉角(度)

Fe

0.87

Co

0.85

Ni

0.19

Gd

0.16

Fe3O4

0.32

MnBi

0.7

PtMnSb

2.0




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