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更新時(shí)間：2025-02-27 14:30:46瀏覽次數(shù)：2012評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池,電氣,綜合 |
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硅穿孔工藝設(shè)備-光刻機(jī)
硅穿孔工藝設(shè)備
硅穿孔(TSV)：通過(guò)芯片和芯片之間，晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的新技術(shù)。能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大，芯片之間的互連線最短，外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能，使目前電子封裝技術(shù)中最引人注目的新技術(shù)。
特點(diǎn)：
1.縮小封裝尺寸。
2.高頻特性出色，減少傳輸延時(shí)的一種技術(shù)。
3.降低芯片功耗，TSV可將硅鍺芯片的功耗降低約40%。
4.熱膨脹可靠性高。
硅穿孔工藝設(shè)備-光刻機(jī)
產(chǎn)品特點(diǎn)：
應(yīng)用范圍：TSV工藝
晶圓尺寸：6英寸，8英寸，12英寸
工藝流程：Insulation, Barrier,Cu seed/fill/Prewet, Anneal
工藝特型：?jiǎn)尉A面向上濕法工藝
薄膜沉積：Electrografting(eG) and Chemicalgrafting(cG) deposition
反應(yīng)物管路：CDS（ Chemistry Delivery System)
系統(tǒng)參數(shù)：?jiǎn)尉A腔體工藝（手動(dòng)，半自動(dòng)）
多腔體工藝（自動(dòng)）
--EFEM/FOUP(Robot/Pre-aligner)
--Transfer Robot
--Process cell
--Control unit
--Electric unit
--Chemical supply unit
--CDS
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