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PSEL制冷型中子探測器系列采用LiF：ZnS：Ag閃爍體熒光屏，由極低噪聲、高靈敏度ICCD或sCMOS芯片讀出。中子成像應用方面使用10cm×10cm至43cm×43cm有效區域的高分辨率閃爍體，并結合具有低噪聲、快速讀出4096×4096分辨率的sCMOS相機。衍射和小角散射應用使用26cm×20cm有效區域的高效閃爍體，并結合1306×1040分辨率的超低噪聲ICCD相機，可實現單量子探測功能。通過將多個相機拼接在一起可以實現更大區域的探測?？熘凶酉盗胁粌H可以用于實驗室密封源研究，也可用于研究反應堆設施。
高靈敏度中子ICCD 主要特點：
高靈敏度中子ICCD 應用：
高靈敏度中子ICCD 技術指標：
參數 | 中子ICCD | 中子sCMOS |
閃爍體 | LiF：ZnS：Ag | |
有效像元尺寸 | 200μm | 105 μm |
有效探測尺寸 | 20cm×26cm | 43cm×43cm |
幀速 | 0.6 fps | 5 fps |
動態范圍 | >10000:1 | >20000:1 |
讀出噪聲 | <3 e- | 4e- |
增益 | >1000:1 | N/A |
門控寬度 | <1 ms @ 1kHz | N/A |
芯片制冷溫度 | -20 ℃ | |
曝光時間(單幀) | 長可達30分鐘 | 長可達1分鐘 |
相機接口 | 千兆以太網 | |
Li-6熒光屏來自于scintacor
特征 | 物理性質 |
屏幕類型 | ND |
磷光體類型 | 混合顆粒 |
發光顏色 | 藍色 |
峰值波長 | 450nm |
衰減10% | 3.5μs |
余輝拖尾 | 低階 |
X射線吸收 | 極低 |
紫外光吸收 | 寬帶 |
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