單晶材料對于研究新材料物理性能起著至關重要的作用。目前人們已掌握了多種晶體生長技術，其中，浮區法晶體生長技術近幾年發展為迅速和顯著，因為該技術不僅可以用于探索合成新材料，而且還可以實現高價態過渡金屬化合物的單晶生長，這些為于探索非常規電子關聯及磁性等相關機理研究。

      第三屆浮區技術研討會旨在加強晶體生長域的家和學者之間的密切聯系，分享經驗并交流探討當前浮區技術的發展方向。屆及第二屆浮區技術研討會(2013年, 2016年)在德國德累斯頓IFW舉辦，本年度的第三屆浮區技術研討會將于2019年9月16-18日在歷史名城牛津舉行, 由牛津大學奧瑞爾學院和德國SciDre公司聯合舉辦。

      德國SciDre公司成立于2009年，是德國德累斯頓萊布尼茨固體與材料研究所（IFW Dresden）的個分支機構。其*的HKZ系列高溫高壓浮區法單晶爐初由德累斯頓IFW開發，德國SciDre公司隨后化了HKZ的設計方案并升改造了控制系統。

代HKZ單晶爐（2009~2014年）

新代HKZ高溫高壓光學浮區法單晶爐（2015年至今）

      目前，德國SciDre推出的HKZ系列高溫高壓光學浮區法單晶爐高可實現高達3000℃高溫，高壓力可達300bar，多種規格可根據用戶需求提供選擇。該單晶生長系統備受國內廣大科研工作者的青睞，目前已擁有眾多用戶，包括中國科學院物理研究所、中國科學院固體物理研究所、北京師范大學、復旦大學、上海大學、南昌大學以及中山大學等。