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PMN-PT晶體基片
  • PMN-PT晶體基片
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貨物所在地:安徽合肥市

更新時間:2025-01-22 21:00:06

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PMN-PT晶體基片

產品名稱:

PMN-PT晶體基片


產品簡介:

用改進的Bridgman法生長出了高質量的大尺寸弛豫鐵電單晶PMNT,該單晶具有優異的壓電性能、非線性光學性能和熱釋電性能,不僅可以滿足應用需要成為新一代高性能壓電換能器、非線性光學器件和光電探測器件(如紅外探測器)的核心材料,而且還為廣大的科研人員提供了良好的研究載體,歡迎國內外各科研院所和公司企業定購我們的單晶產品,進行相關的科學研究及器件研發和生產。


技術參數:

化學分子式:

(PbMg0.33Nb0.67O3 )1-x:(PbTiO3)x

結構:

R3mRhombohedral

晶格:

a0 ~4.024?(pseudo-cubic, varies with composition )

熔點:

1280 oC

密度:

8.1 g/cm3

壓電系數d33      

>2000 pC/N

軸接常數:

k33   (longitudinal mode)                >92%              

kt     (thickness mode)              59-62%            

k33’   (beam mode)                       84-88%

介電常數e  

4000 – 6000 (at 1kHz after poling) 

介電損耗:

tan d<0.9

居里溫度:

135-150°C

矯頑場大概:

2-3kV/cm 

標準尺寸:

25× 25× 1mmplates along [001]


產品規格:

常規晶向:<100>, <001>, <111>;

晶向公差:+/-0.5度;

常規尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm,dia20x0.5mm

拋光情況:單拋或雙拋,Ra<5A

注:可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。


典型性能

產品名稱:

PMN-PT <001> 

密度:

8.1g/cm3

壓電常數d33:

1800-2400 Pc/N

耦合系數:

0.6-0.65Kt

耦合系數:

0.9-0.0.95kp

介電常數:

5000-7000

損耗:

<1

居里溫度:

145+/-3℃Zggx10(6)kg/m2s:29


標準包裝:

1000級超凈室,100級超凈袋封裝


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