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激光分子束外延系統Laser MBE是新型激光薄膜制備技術設備,它集成了普通分子束外延（MBE）的超高真空、原位監測的*點和脈沖激光沉積（PLD）的易于控制化學組分的*點。
激光分子束外延系統特點
增長的激光MBE解決方案：從PLD室和負載鎖開始，稍后添加*多模塊！
UHV PLD沉積室，通過負載鎖定對襯底和目標進行UHV傳輸
模塊化概念：輕松升級到中央傳輸模塊和附加模塊
**的工藝自動化，也適用于超晶格沉積
具有**溫度測量功能的耐氧基板加熱器，1000°C
激光加熱基材可選
靈活的**目標操縱器，具有交叉污染屏蔽和目標轉盤傳送
為系統升級準備的真空室（RHEED、等離子源、OES/FTIR等）
表面通量控制選項，100%可重復結果
全封閉梁線，操作方便、安全
交鑰匙交付
通過互聯網提供高級在線支持
PLD/激光MBE室
表面PLD/激光MBE室專為研究而設計，提供**激光MBE所需的所有功能：
襯底和PLD靶的超高壓傳輸
冷壁設計可防止在沉積時間內從室壁放氣
用于原位分析的窗口和端口：RHEED、OES或FTIR、質譜
用于附加沉積或等離子源的端口
**的表面襯底加熱器或激光加熱器
目標操縱器保持一個轉盤，轉盤上***多有五個直徑為1"的PLD目標
此外，用于向腔室中供應工藝氣體的兩個質量流量控制器通道是標準的。它們能夠自動控制工藝氣氛和壓力。
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