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單晶多晶硅片壽命測試儀是專用為晶圓品質檢驗,測量少子壽命,測量光電導率和電阻率等研發的晶圓壽命測試儀器。
單晶多晶硅片壽命測試儀MDPmap自動識別樣品,參數設置可以使該儀器適應各種樣品，包括從生長的晶圓到高達95%的金屬化晶圓之間不同制備階段的各種外延片和晶圓片。
單晶多晶硅片壽命測試儀具有高度的靈活性，它允許集成多達4臺激光器，用于從超低注入到高注入的與注入水平相關的壽命測量，或者通過使用不同的激光波長提取深度信息。
單晶多晶硅片壽命測試儀
靈敏度：對外延工藝監控和不可見缺陷檢測，具有可視化測試的最高分辨率
測量速度：6英寸硅晶圓片，1mm分辨率 ，小于5分鐘
壽命測試范圍: 20納秒到幾十毫秒
沾污檢測：源自坩堝和生長設備的金屬(Fe)污染
測量能力：從初始切割的晶圓片到所有工藝加工的樣品
靈活性：允許外部激光通過觸發器，與探測模塊耦合
可靠性： 模塊化和緊湊臺式儀器，更高可靠性，正常運行時間> 99%
重現性： > 99.5%
電阻率：無需時常校準的電阻率面掃描
單晶多晶硅片壽命測試儀規格參數
樣品尺寸 | 5~300mm（300mm為標配，可根據需求提升至450mm） |
壽命范圍 | 20ns到幾毫秒 |
電阻率 | 0.2 - 10^3 Ohm cm P/N |
材質 | 硅晶圓，外延層，部分或*加工晶圓，化合物半導體等 |
測量屬性 | 少數載流子壽命,光電導性, μ-PCD/MDP (QSS) |
激勵源 | 可選四種不同波長（355nm—1480nm），默認980nm |
大小 | 680 x 380 x 450 mm, 重量: 65 kg |
電源要求 | 100-250V，50/60 Hz, 5A |
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