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EB71-電子束蒸發鍍膜系統,電子束鍍膜蒸
  • EB71-電子束蒸發鍍膜系統,電子束鍍膜蒸
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貨物所在地:上海上海市

地: 孚光精儀歐洲代理品牌

更新時間:2024-12-16 11:42:38

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電子束蒸發系統是按照“從實驗室到工廠"的方法設計的電子束鍍膜蒸發系統,既適用于密集的研發活動,也適用于中試生產。

電子束蒸發系統是按照“從實驗室到工廠"的方法設計的電子束鍍膜蒸發系統,既適用于密集的研發活動,也適用于中試生產。
考慮到“提離"工藝的具體特點,該電子束蒸發系統適用于直徑不超過200mm的單晶片以及安裝在球形型材支架上的3×∅3“或6×∅2"晶片的沉積。
電子束蒸發系統特點
•工藝室由不銹鋼制成,配有ConFlat密封件、集成壁水冷卻和基于500 l/s強大離子泵的干式泵送系統
•系統設計在微波電子用半導體器件生產中得到了很好的驗證
•采用專門開發的“掩模"技術,厚度不均勻性在直徑達200 mm的基板支架上小于±2.5%
•通過在350-500mm范圍內改變“基板到蒸發器"的距離來優化材料消耗的能力;特別是,工作距離為350 mm時,黃金消耗量為3÷4 g/μm
•基于GaAs/InGaAs/AlGaAs和GaN/AlGaN的HEMT的接觸電阻分別為0.1~0.25和0.3~0.5 Om×mm(在STE RTA100系統中接觸退火后)
•開發了基于ITO薄膜的p-GaN透明接觸
•鋁沉積速率不低于60?/s
•W沉積速率不小于1?/s
從支架中心到鈦層∅180 mm(3×∅3''晶圓)的厚度分布,在STE EB71(旋轉,“掩模"技術)獲得。
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電子束蒸發系統規格參數
沉積腔體內剩余壓力:<5×10-7Torr
達到預處理真空的時間(<5×10^-8Torr):   不超過20min
離子束(離子能20~300eV): 可選配
加熱處理晶圓數量::500 (900可選)
沉積腔烘培溫度:   150℃
同事處理晶圓: 6個@2英寸,3個@3英寸,1個@∅100mm,∅150mm,∅200mm
電子束蒸發陰極功率:6KW
加速電壓:8KV

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