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電子束蒸發系統是按照“從實驗室到工廠"的方法設計的電子束鍍膜蒸發系統,既適用于密集的研發活動，也適用于中試生產。
考慮到“提離"工藝的具體特點，該電子束蒸發系統適用于直徑不超過200mm的單晶片以及安裝在球形型材支架上的3×∅3“或6×∅2"晶片的沉積。
電子束蒸發系統特點
•工藝室由不銹鋼制成，配有ConFlat密封件、集成壁水冷卻和基于500 l/s強大離子泵的干式泵送系統
•系統設計在微波電子用半導體器件生產中得到了很好的驗證
•采用專門開發的“掩模"技術，厚度不均勻性在直徑達200 mm的基板支架上小于±2.5%
•通過在350-500mm范圍內改變“基板到蒸發器"的距離來優化材料消耗的能力；特別是，工作距離為350 mm時，黃金消耗量為3÷4 g/μm
•基于GaAs/InGaAs/AlGaAs和GaN/AlGaN的HEMT的接觸電阻分別為0.1~0.25和0.3~0.5 Om×mm（在STE RTA100系統中接觸退火后）
•開發了基于ITO薄膜的p-GaN透明接觸
•鋁沉積速率不低于60?/s
•W沉積速率不小于1?/s
從支架中心到鈦層∅180 mm（3×∅3''晶圓）的厚度分布，在STE EB71（旋轉，“掩模"技術）獲得。
電子束蒸發系統規格參數
沉積腔體內剩余壓力:<5×10-7Torr
達到預處理真空的時間（<5×10^-8Torr）: 不超過20min
離子束（離子能20~300eV): 可選配
加熱處理晶圓數量：：500 （900可選）
沉積腔烘培溫度： 150℃
同事處理晶圓： 6個@2英寸，3個@3英寸，1個@∅100mm，∅150mm，∅200mm
電子束蒸發陰極功率：6KW
加速電壓：8KV
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