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紫外掩膜對準機是全球shoukuan裝備有紫外LED光源的mask aligner,是掩膜對準器中的理想冷光源紫外掩膜對準機。能夠在4英寸工作面積上實現2微米微結構，對準精度高達3微米，廣泛用于光刻掩膜對準曝光，適用于微流體芯片，微電子，光學微結構,MEMS等微納器件的光刻制作。
桌面型紫外掩膜對準機參數
分辨率：2微米
接收掩膜大小：5英寸 （2英寸可選）
接收襯底大小：2-4英寸， 50x50mm 到 100x100mm
系統可視分辨率：3微米 （1.5微米可選）
掩膜/襯底測量距離分辨率：0.5微米
theta襯底位移分辨率：5.10-4度
XYZ襯底位移分辨率：0.4微米（0.2微米可選）
波長：365nm 或 405nm
功率密度：35mW/cm^2
曝光中襯底升溫：<1攝氏度
曝光時間：1秒到18小時
可編程曝光循環：>100個
尺寸：475x475x478mm
重量：55kg
觸摸屏：15.6寸彩色觸摸屏
電力要求：220V
用電功耗：180W
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