晶圓蝕刻清洗機CES是ULTRA晶圓蝕刻清潔系統,滿足晶片、光掩模和基板蝕刻清洗特定工藝需求。
晶圓蝕刻清洗機CESx124、126、128或133非常適合蝕刻和清潔從小直徑到超大直徑的各種尺寸的晶片、光掩模和基板。晶圓蝕刻清洗機CESx可配置多個過程分配選項，從用于DI-H2O或化學的Megasonic噴嘴；用于化學配藥的低壓噴嘴；化學和DI-H2O加熱器；用于表面攪拌以加速反應的刷子和/或DI-H2O；還有更多。
晶圓蝕刻清洗機可編程拋物線臂運動有助于確保均勻蝕刻。快速有效的干燥技術結合了可變的旋轉速度；可選加熱的DI-H2O；和氮輔助。該晶圓蝕刻清洗機非常安全，具有“沖洗至pH"功能，可在接觸基質之前去除腔室內的任何化學物質。

適合直徑不超過9x9英寸/300mm直徑的基片
•具有無刷伺服電機的主軸組件用于精確的速度控制和分度。
•擺動式分配臂，速度可調&行程位置&可編程拋物線行程。
•徑向排氣室，最大層流在蓋的頂部與N2進料一起流動。
•用于清潔和干燥輔助的DI-H2O加熱器。
•微處理器控制，能夠保持三十（30）個食譜在內存中有三十（30）個步驟。
•用清水沖洗至整個工藝區域和基材的pH值聯鎖裝置禁止進入工藝區和控制區排水和主軸速度，直到安全。
•按鈕蓋打開/關閉。
•觸摸屏圖形用戶界面（GUI），易于操作帶有屏幕錯誤的編程和安全鎖定報告。
•用于化學品和室內排水的排水分流器。
•設計符合SEMI S2/S8指南，占地面積小，寬28英寸，深24英寸，包括：集成式DI H2O加熱器；化學品儲存二級安全殼。面向所有人的前臺服務訪問組件。尺寸不包括后面板設施和連接