浩博基業專業制造LED全彩顯示屏，單雙色顯示屏主要以中產品為主，浩博基業4000292909   88891055   劉珍LED是利用化合物材料制成pn結的光電器件。它具備pn結結型器件的電學特性：I-V特性、C-V特性和光學特性：光譜響應特性、發光光強指向特性、時間特性以及熱學特性。

    1、LED電學特性

    1.1I-V特性表征LED芯片pn結制備性能主要參數。LED的I-V特性具有非線性、整流性質：單向導電性，即外加正偏壓表現低接觸電阻，反之為高接觸電阻。

    如左圖：

    （1）正向死區：（圖oa或oa′段）a點對于V0為開啟電壓，當V＜Va，外加電場尚克服不少因載流子擴散而形成勢壘電場，此時R很大；開啟電壓對于不同LED其值不同，GaAs為1V，紅色GaAsP為1.2V，GaP為1.8V，GaN為2.5V。

    （2）正向工作區：電流IF與外加電壓呈指數關系

    IF=IS（eqVF/KT–1）-------------------------IS為反向飽和電流。

    V＞0時，V＞VF的正向工作區IF隨VF指數上升IF=ISeqVF/KT

    （3）反向死區：V＜0時pn結加反偏壓

    V=-VR時，反向漏電流IR（V=-5V）時，GaP為0V，GaN為10uA。

    （4）反向擊穿區V＜-VR，VR稱為反向擊穿電壓；VR電壓對應IR為反向漏電流。當反向偏壓一直增加使V＜-VR時，則出現IR突然增加而出現擊穿現象。由于所用化合物材料種類不同，各種LED的反向擊穿電壓VR也不同。

    1.2C-V特性

    鑒于LED的芯片有9×9mil（250×250um），10×10mil，11×11mil（280×280um），12×12mil（300×300um），故pn結面積大小不一，使其結電容（零偏壓）C≈n+pf左右。

    C-V特性呈二次函數關系（如圖2）。由1MHZ交流信號用C-V特性測試儀測得。

    1.3zui大允許功耗PFm

    當流過LED的電流為IF、管壓降為UF則功率消耗為P=UF×IF

    LED工作時，外加偏壓、偏流一定促使載流子復合發出光，還有一部分變為熱，使結溫升高。若結溫為Tj、外部環境溫度為Ta，則當Tj＞Ta時，內部熱量借助管座向外傳熱，散逸熱量（功率），可表示為P=KT（Tj–Ta）。

    1.4響應時間

    響應時間表征某一顯示器跟蹤外部信息變化的快慢。現有幾種顯示LCD（液晶顯示）約10-3~10-5S，CRT、PDP、LED都達到10-6~10-7S（us級）。