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RMS 1000 高溫電阻測量系統

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深圳市錫成科學儀器有限公司深耕科學儀器與精密測試設備領域,作為專業服務商,我們整合了多種優質技術資源,為科研創新、工業制造及質量管控領域提供高價值解決方案。作為國內外多個品牌的合作伙伴,公司構建了涵蓋電化學分析、膜厚與表面輪廓檢測、電學測量、力學測量等領域的多元化產品體系,致力于以精準數據驅動行業升級。

在電化學領域,我們提供從基礎研究到產業應用的先進設備,覆蓋電池性能評估、電催化研究、腐蝕監測等場景;膜厚及表面輪廓測試產品線以納米級精度賦能半導體、光學鍍膜、新能源材料等行業的工藝優化;電學儀表系列聚焦電子元器件檢測及實驗室標準化需求,確保測量精度與效率雙提升;力學測量解決方案則專注于材料強度測試,為金屬、陶瓷、復合材料及柔性電子等領域提供關鍵數據支撐。

依托成熟的服務體系、我們幫助客戶實現技術工具與業務場景的深度融合。未來,公司將持續拓展技術邊界,以創新為引擎,推動檢測技術與產業發展的協同共進,助力客戶在全球競爭中贏得先機。




臺階儀,光學輪廓儀,電化學工作站,納米壓痕儀,力電聯測材料試驗機,介電溫譜測量系統,電阻測試儀,原子力顯微鏡,光學顯微鏡

產地類別 國產 類型 其他
應用領域 綜合

高溫電阻測量系統

RMS1000S系列高溫半導體材料電阻率測量系統主要用于半導體材料導電性能的評估和測試,該系統采用四線電阻法測量原理進行設計開發,可以在高溫、真空氣氛的條件下測量半導體材料電阻和電阻率,可以分析被測樣品電阻和電阻率隨溫度、時間變化的曲線。

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目前主要針對圓片、方塊、長條等測試樣品進行測試,廣泛用于半導體材料硅(si)、鍺(ge)、化合物半導體材料砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)三元化合物半導體GaAsAl、GaAsP,固溶體半導體,如Ge-Si、GaAs-GaP等的塊體材料的電阻率測量。

高溫電阻測量系統功能特點

2 針對性質不同的材料開發相應的測試系統

2 多種保護措施,確保測試安全

2 溫度范圍廣:RT600/1000

2 可實現惰性、氧化、還原、真空等多種氣氛測量

2 樣品壓力大0.25N,保證測量過程不損壞樣品

2 上電極半球狀+下電極平板狀設計,可以精確定位測量被測樣品某一點

半導體材料-2W法

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半導體2W法計算公式

ρ=RS/L=Vs/IL

ρ =以厘米-歐姆為單位的電阻率

V =加載樣品上的電壓或電壓源輸出電壓

l =表示流過樣品的電流或電流源輸出電流

L =表示樣品的厚度

S =表示樣品橫截面積

型號

RMS 1000C

RMS 1000S

RMS 1000I

RMS 1000P

應用范圍

導電材料

半導體材料

絕緣材料

半導體薄膜/薄片

測試方法

四線電阻法

半導體材料2線法

三環電極法*

雙電測組合直排4探針法

電極材料

鉑金電極,碳化鎢探針

鉑金電極

鉑金電極

碳化鎢探針,鉑金探針

樣品規格

10mm×10mm×20mm

φ20mm,d<5mm

φ25mm,d<4mm

薄膜φ1530mm,d<4mm

電阻范圍

1nΩ1GΩ

0.1100MΩ

100Ω10PΩ

0.1100MΩ

0.1.cm100MΩ.cm

1mΩ.cm10MΩ.cm

1000Ω.cm1PΩ.cm

1mΩ.cm10MΩ.cm







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