超高分辨率場發射掃描電子顯微鏡 SU9000專門為電子束敏感樣品和需大300萬倍穩定觀察的*半導體器件，高分辨成像所設計。

特點
新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
用改良的高真空性能和的電子束穩定性來實現高效率截面觀察。
采用全新設計的Super E x B能量過濾技術，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。
 
主要特點：

1.  新型電子光學系統設計達到掃描電鏡世界高分辨率：二次電子0.4nm（30KV），STEM0.34nm（30KV）。

2.  用改良的高真空性能和的電子束穩定性來實現高效率截面觀察。

3.  采用全新設計的Super E x B能量過濾技術，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。

超高分辨率場發射掃描電子顯微鏡 SU9000技術指標
二次電子分辨率 0.4nm （加速電壓30kV，放大倍率80萬倍）
1.2nm （加速電壓1kV，放大倍率25萬倍）
STEM分辨率 0.34nm（加速電壓30kV，晶格象）
觀測倍率 底片輸出 顯示器輸出
LM模式 80~10,000x 220~25,000x
HM模式 800~3,000,000x 2,200~8,000,000x
樣品臺 側插式樣品桿
樣品移動行程 X ±4.0mm
Y ±2.0mm
Z ±0.3mm
T ±40度
標準樣品臺 平面樣品臺：5.0mm×9.5mm×3.5mmH
截面樣品臺：2.0mm×6.0mm×5.0mmH
樣品臺 截面樣品臺：2.0mm×12.0mm×6.0mmH
雙傾截面樣品臺：0.8mm×8.5mm×3.5mmH
信號檢測器 二次電子探測器
TOP 探測器（選配）
BF/DF 雙STEM探測器（選配）
應用領域：

1.      半導體器件

2.      高分子材料

3.      納米材料

4.      生命科學