產地類別 | 國產 | 價格區間 | 面議 |
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應用領域 | 醫療衛生,生物產業,電子/電池 | 組成要素 | 半導體激光器產品及設備 |
威創光電推出用于醫療、生命科學、傳感等使用的高品質915~940nm,單模,多模,激光器,激光二極管激光二極管,光斑模式分為單模輸出和多模輸出。可以提供TO18,TO5,C-MOUNT, TO3, E-mount, 窗口型封裝等。同時提供光斑整形服務,光斑快軸經壓縮后,光斑可為方形或者線形,滿足客戶不同使用場景。
產品型號和主要參數如下:
單模激光二極管:
Wavelength | Part Number | Output Power | Mode Type | Laser Type | Package | PD | FAC |
940nm | WSLD-940-200m-1-PD | 200mW | SM | FP | TO18 | √ | × |
多模激光二極管:
Wavelength | Part Number | Output Power | Mode Type | Laser Type | Package | PD | FAC |
915nm | WSLD-915-012-E | 12W | MM | FP | E-mount | × | ○ |
915nm | WSLD-915-012-H | 12W | MM | FP | H-mount | × | ○ |
915nm | WSLD-915-015-E | 15W | MM | FP | E-mount | × | ○ |
915nm | WSLD-915-015-H | 15W | MM | FP | H-mount | × | ○ |
940nm | WSLD-940-001-2-PD | 1W | MM | FP | TO5 | √ | ○ |
940nm | WSLD-940-002-2 | 2W | MM | FP | TO5 | ○ | ○ |
940nm | WSLD-940-003-C | 3W | MM | FP | C-mount | × | ○ |
940nm | WSLD-940-003-3 | 3W | MM | FP | TO3 | × | ○ |
940nm | WSLD-940-005-C | 5W | MM | FP | C-mount | × | ○ |
940nm | WSLD-940-005-3 | 5W | MM | FP | TO3 | × | ○ |
940nm | WSLD-940-012-E | 12W | MM | FP | E-mount | × | ○ |
940nm | WSLD-940-012-H | 12W | MM | FP | H-mount | × | ○ |
940nm | WSLD-940-015-E | 15W | MM | FP | E-mount | × | ○ |
940nm | WSLD-940-015-H | 15W | MM | FP | H-mount | × | ○ |
半導體激光器是以一定的半導體材料做工作物質而產生激光的器件。.其工作原理是通過一定的激勵方式,在半導體物質的能帶(導帶與價帶)之間,或者半導體物質的能帶與雜質(受主或施主)能級之間,實現非平衡載流子的粒子數反轉,當處于粒子數反轉狀態的大量電子與空穴復合時,便產生受激發射作用。半導體激光器的激勵方式主要有三種,即電注入式,光泵式和高能電子束激勵式。電注入式半導體激光器,一般是由砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等材料制成的半導體面結型二極管,沿正向偏壓注入電流進行激勵,在結平面區域產生受激發射。光泵式半導體激光器,一般用N型或P型半導體單晶(如GaAS,InAs,InSb等)做工作物質,以其他激光器發出的激光作光泵激勵。高能電子束激勵式半導體激光器,一般也是用N型或者P型半導體單晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物質,通過由外部注入高能電子束進行激勵。在半導體激光器件中,性能較好,應用較廣的是具有雙異質結構的電注入式GaAs二極管激光器。
激光器的模式結構可從光譜測量和近場觀察中看出。縱模是光譜的主要結構,激光器一般是多縱模的,各模之間的間隔與腔長有關,腔長越長則縱橫間距越短,縱模間距一般為幾個埃,橫模也可從光譜的精細測量中得到。激光器輸出光譜的三種典型結構見圖1、2、3。圖1是單橫模、單縱模激光器的輸出光譜,只有一個峰值,光譜的半寬度與腔的結構有關,對法布里-珀羅諧振腔,單縱模半寬度為2~3埃。圖2是單縱模、多橫模結構,有二個峰值,對應于激光器有一階橫模存在,橫模間距不足1埃。圖3是多橫模、多縱模的光譜結構。橫模也可從激光器的近場觀察中看出,如果腔面只有一個光強分布的大值(即一個亮點),則器件在基橫模下工作;如在水平方向存在二個亮點,則器件有一階側向橫模存在,亮點增多,高階橫模的階數增大。