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Minilock-Orion PECVD沉積

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PECVD沉積薄膜沉積系統(tǒng)

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First-Nano System GmbH 

  • 2003年          創(chuàng)立于德國(guó)德累斯頓工業(yè)大學(xué)(Dresden University of Technology)

  • 2008年          香港成立德國(guó)韋氏納米系統(tǒng)(香港)有限公司   

  • 2015年          上海成立德國(guó)韋氏納米系統(tǒng)(香港)有限公司中國(guó)代表處,負(fù)責(zé)中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù)

  • 2018年          深圳正式成立韋氏納米系統(tǒng)(深圳)有限公司,更好的為中國(guó)南方區(qū)市場(chǎng)

     

德國(guó)韋氏納米系統(tǒng)成立以來(lái),一直為客戶想的更多,Thinking more !!!

 

產(chǎn)品范圍:

薄膜沉積/Thin Film Deposition 
E-Beam and Thermal Evaporation, PECVD, PLD, DLC, DC & RF Sputtering, Ion Beam Sputtering
刻蝕/Etching
RIE, DRIE, ICP, Ion Beam Milling, RIBE, Plasma, ALE
薄膜制程/Growth
ALD, PA-MOCVD, CNT, Graphene
表面處理/Surface Treatment
Ion Beam, PIII, Plasma Cleaner, RTP
清洗/Cleaning
- Dry: Ion Beam, Plasma Cleaner
- Wet: Megasonic, 杜邦EKC清洗液
其他/Other,
Device Testing System for Space Simulation, Heated Platens, Plasma Sources, Resist Stripping Systems

等離子清洗機(jī),均膠機(jī),薄膜沉積,刻蝕

Minilock-Orion III是一套*的等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(PECVD)系統(tǒng)。 系統(tǒng)的下電極尺寸可為200mm或300mm,且根據(jù)電極配置,可以處理單個(gè)基片或帶承片盤的基片(3”- 300mm尺寸),或者多尺寸批處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)。
Minilock-Orion III用于有毒/發(fā)火PECVD工藝。沉積薄膜:氧化物、氮氧化物、氮化物、無(wú)定形硅和碳化硅。工藝氣體:100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧、氮、3甲基硅烷和甲烷。
該系統(tǒng)可選配一個(gè)三極管(Triode)或電感耦合等離子(ICP)源。三極管源使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子,從而控制薄膜應(yīng)力。
基片通過(guò)預(yù)真空室裝入工藝室,其避免了與工藝室以及任意殘余沉積副產(chǎn)品接觸,從而提高了用戶的安全性。預(yù)真空室還使得工藝室始終保持在真空下,從而保持反應(yīng)室與大氣隔絕。

 

 

 

 

Minilock-Orion III是一套*的等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(PECVD)系統(tǒng)。 系統(tǒng)的下電極尺寸可為200mm或300mm,且根據(jù)電極配置,可以處理單個(gè)基片或帶承片盤的基片(3”- 300mm尺寸),或者多尺寸批處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)。
Minilock-Orion III用于有毒/發(fā)火PECVD工藝。沉積薄膜:氧化物、氮氧化物、氮化物、無(wú)定形硅和碳化硅。工藝氣體:100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧、氮、3甲基硅烷和甲烷。
該系統(tǒng)可選配一個(gè)三極管(Triode)或電感耦合等離子(ICP)源。三極管源使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子,從而控制薄膜應(yīng)力。
基片通過(guò)預(yù)真空室裝入工藝室,其避免了與工藝室以及任意殘余沉積副產(chǎn)品接觸,從而提高了用戶的安全性。預(yù)真空室還使得工藝室始終保持在真空下,從而保持反應(yīng)室與大氣隔絕。

 

 

 

典型用戶

采購(gòu)單位名稱采購(gòu)時(shí)間購(gòu)臺(tái)數(shù)應(yīng)用領(lǐng)域

西安交通大學(xué)

2012/08/171電子/電器/半導(dǎo)體


化工儀器網(wǎng)

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