等離子體灰化蝕刻系統e3600采用zuixin的光刻膠去除技術,為去除晶圓光刻膠提供高效方案。可以在不改變硬件的情況下同時處理不同尺寸的晶圓。憑借緊湊的模塊化設計，它可以以較低的擁有成本提供高吞吐量。
等離子體灰化/蝕刻系統特點
TCP 6KW射頻等離子體或3KW微波等離子體
占地面積小，擁有成本低
單臂或雙臂取放機器人
極低傷害的向下等離子體
高吞吐量>100 wph
用于100mm至200mm晶圓的雙盒式支架
可選SMIF裝載站
ULPA或HEPA系統
等離子體灰化/蝕刻系統應用
去除體光刻膠，
后LDI光刻膠條
聚合物去除
Descum處理
表面處理可提高Dep附著力
高劑量植入后條
氧化
各向同性蝕刻
MEMS
等離子體灰化/蝕刻系統晶圓處理工藝
灰化：剝離光刻膠。通常在離子注入或蝕刻之后進行。
Descum：去除前端晶圓上殘留的光刻膠或聚酰亞胺，去除晶圓上的一小部分光刻膠。
蝕刻：對Si3N4、SiO2和多晶硅等材料進行各向同性蝕刻
表面處理：濕法刻蝕前表面活化，改善刻蝕工藝步驟，提高沉積前表面附著力。
清潔：可以在濕法蝕刻后進行等離子體清潔以完成清潔步驟，或者在DRIE后從過孔中去除聚合物等。