OPTO DIODE光電二極管SXUV100TF135

產品型號：SXUV100TF135

產品介紹

每個檢測器具有100mm²的有源面積和用于在12nm和18nm之間進行檢測的直接沉積的薄膜濾波器。兩種探測器在13.5nm處都具有0.09A/W的典型響應度，并且針對不同的電性能進行了優化。光電二極管非常適合用于激光功率監測、半導體光刻和利用極紫外光的計量系統等應用。SXUV100TF135針對更高速的反向偏置電壓操作進行了優化。該器件具有低電容，通常為260pF，反向偏置電壓為12伏。

性能特點

l 單個有效區域

l 檢測到1 nm

l 暴露于EUV/UV條件后的穩定響應

l 保護蓋板

技術參數

產地：法國

擊穿電壓：25 V

配置：單個

模塊：否

包裝：陶瓷

包裝類型：陶瓷

光電探測器類型：PN

操作模式：光電導

波長范圍：18至80 nm

響應時間：20 ns

反向電壓：25 V

光譜帶：紫外線

電容：220至350 pF

暗電流：8至25 nA

響應性/感光度：0.08至0.1 A/W@13.5 nm

有效面積：100 mm2（10 mm x 10 mm）

工作溫度：-10至40℃

儲存溫度：-10至40℃

產品應用

激光功率監測

半導體光刻

計量系統