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產(chǎn)品分類品牌分類

刻蝕系統(tǒng): RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng) ICP及DRIE刻蝕系統(tǒng) IBE離子束刻蝕系統(tǒng) RIE-PE刻蝕機(jī)

沉積系統(tǒng): Parylene派瑞林真空鍍膜系統(tǒng) 進(jìn)口光學(xué)鍍膜機(jī) TE熱蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng) E-Beam電子束蒸發(fā)系統(tǒng) 磁控濺射系統(tǒng) PECVD等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) PLD脈沖激光沉積

生長系統(tǒng): MOCVD設(shè)備 ALD原子層沉積系統(tǒng) MOVPE設(shè)備

清洗去膠系統(tǒng): 等離子去膠清洗及灰化系統(tǒng) 單晶圓/掩模版兆聲清洗機(jī) 大基片清洗/去膠/濕法刻蝕 MW微波等離子清洗去膠系統(tǒng) 離子束清洗系統(tǒng) 研發(fā)用等離子去膠機(jī)

熱真空試驗(yàn)系統(tǒng): 熱真空試驗(yàn)箱熱真空環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備空間環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備熱真空系統(tǒng)

核心組件: Platens樣品臺等離子體源

檢測系統(tǒng): 飛行時間二次離子質(zhì)譜儀

量測系統(tǒng): 晶圓厚度測量儀接觸角測量儀薄膜曲率應(yīng)力測量儀

晶圓加工設(shè)備: 晶圓劃片機(jī)

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淋浴頭氣流的平面ICP離子源應(yīng)用于ALD系統(tǒng)

時間：2017/9/14閱讀：3970

繼NANO-MASTER*技術(shù)的帶淋浴頭氣流分布的平面ICP離子源應(yīng)用于NANO-MASTER的刻蝕系統(tǒng)，ICPECVD沉積系統(tǒng)，PA-MOCVD生長系統(tǒng)之后，該ICP離子源順利應(yīng)用于ALD系統(tǒng)。

由于該型技術(shù)設(shè)計(jì)的ICP源為平面設(shè)計(jì)的遠(yuǎn)程等離子源，可以在更低電源下達(dá)到更高的離子密度，具有電子溫度低、離子密度高、腔體空間占比低等優(yōu)勢，確保了該ALD系統(tǒng)具有薄膜無損傷、生長速度快、脈沖周期短（沉積效率可以達(dá)到兩倍以上）的先進(jìn)性能。此外，可以實(shí)現(xiàn)低溫（100度以內(nèi)）的薄膜生長。