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中美合資合肥科晶材料技術有限公司
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貨物所在地：安徽合肥市
更新時間：2025-01-16 21:00:07
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產品簡介詳細介紹
氮化鎵(GaN)薄膜
氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。在HVPE過程中，鹽酸反應生成GaCl，而這又與氨反應生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化鎵單晶基板。
技術參數：
dia50.8±1mm x 4um,10-25um.
dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型
注：可按客戶需求定制特殊堵塞方向和尺寸。
>90%
標準包裝：
1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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